玻璃通孔(TGV)技術(shù)為何是光電子領(lǐng)域高性能集成的關(guān)鍵技術(shù)路徑?
在信息技術(shù)深度變革的進(jìn)程中,光電子領(lǐng)域已成為支撐現(xiàn)代信息系統(tǒng)升級(jí)的核心領(lǐng)域。從高速光通信網(wǎng)絡(luò)到先進(jìn)光電傳感系統(tǒng),光電子技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展正推動(dòng)著信息傳輸與處理模式的根本性變革。玻璃通孔(ThroughGlassVia,TGV)技術(shù)作為光電子封裝與集成的新興關(guān)鍵技術(shù),以其優(yōu)異的光學(xué)、熱學(xué)及電學(xué)性能,為光電子器件的高密度集成與功能優(yōu)化提供了系統(tǒng)性解決方案,已成為當(dāng)前光電子領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)與產(chǎn)業(yè)突破口。
一.后摩爾時(shí)代光電子技術(shù)的發(fā)展路徑
隨著集成電路制程向3nm及以下節(jié)點(diǎn)推進(jìn),傳統(tǒng)電子芯片面臨熱耗散加劇、信號(hào)串?dāng)_嚴(yán)重等物理極限挑戰(zhàn),摩爾定律的延續(xù)亟需顛覆性技術(shù)創(chuàng)新。光電子集成電路(PhotonicIntegratedCircuit,PIC)憑借低功耗(光互連能耗僅為電子互連的1/10)、高帶寬(太比特級(jí)數(shù)據(jù)傳輸能力)及抗電磁干擾等優(yōu)勢(shì),成為突破算力瓶頸的戰(zhàn)略性技術(shù)方向。與電子信號(hào)相比,光信號(hào)在高頻傳輸中展現(xiàn)出顯著的性能優(yōu)勢(shì),其光速傳輸特性可實(shí)現(xiàn)亞皮秒級(jí)時(shí)延,滿足人工智能、大數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景對(duì)海量數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)處理的需求。
然而,硅基光電子集成面臨材料本征限制:硅的間接帶隙特性導(dǎo)致其光發(fā)射效率低下,難以直接集成光源器件。因此,異構(gòu)集成技術(shù)成為構(gòu)建完整光電子系統(tǒng)的必然選擇。在封裝基板材料體系中,玻璃基板以其90%以上的可見(jiàn)光透過(guò)率、可調(diào)控的折射率(通過(guò)摻雜硼、硅等元素實(shí)現(xiàn)1.451.7的折射率調(diào)節(jié)范圍)及與硅芯片匹配的熱膨脹系數(shù)(35ppm/℃),在光電子互連與封裝領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì),為光子元件(光波導(dǎo)、分束器等)與微電子芯片的異質(zhì)集成提供了理想平臺(tái)。
二.TGV技術(shù)的核心特性與工藝創(chuàng)新
TGV技術(shù)是在玻璃基板上構(gòu)建貫通式導(dǎo)電通孔的先進(jìn)微納加工技術(shù),與硅通孔(TSV)技術(shù)相比,其依托玻璃材料的物理化學(xué)特性,形成多維度技術(shù)優(yōu)勢(shì):
光學(xué)功能集成能力:高純度玻璃基板在可見(jiàn)光至近紅外波段(4001600nm)具有優(yōu)異的透光性,且折射率均勻性誤差<0.1%,可直接用于光波導(dǎo)、微透鏡等光學(xué)元件的制備。該特性使玻璃基板能夠?qū)崿F(xiàn)"光電"功能的共基板集成,避免傳統(tǒng)硅基方案中的轉(zhuǎn)換損耗(光電光轉(zhuǎn)換損耗通常>3dB)。
熱機(jī)械穩(wěn)定性?xún)?yōu)勢(shì):玻璃材料的熱膨脹系數(shù)與硅芯片高度匹配,在40℃至125℃的溫度循環(huán)中,玻璃TGV互連結(jié)構(gòu)的應(yīng)力形變率<50ppm,遠(yuǎn)低于聚合物基板(形變率>200ppm),可有效降低長(zhǎng)期服役中的界面開(kāi)裂風(fēng)險(xiǎn)。
高頻信號(hào)傳輸性能:玻璃的介電常數(shù)(ε≈4.5@10GHz)與介質(zhì)損耗角正切值(tanδ<0.001)顯著優(yōu)于硅基板,在太赫茲頻段(0.33THz)的信號(hào)衰減率<0.1dB/mm,滿足高速光電子系統(tǒng)對(duì)信號(hào)完整性的嚴(yán)苛要求。
在工藝實(shí)現(xiàn)方面,TGV技術(shù)突破了玻璃材料的脆性加工難題。德國(guó)弗勞恩霍夫IZM研究所開(kāi)發(fā)的選擇性激光腐蝕(SelectiveLaserEtching,SLE)技術(shù),采用飛秒激光(脈沖寬度<500fs)進(jìn)行玻璃基體的精確燒蝕,結(jié)合濕法化學(xué)蝕刻工藝,可制備深寬比達(dá)10:1的通孔結(jié)構(gòu),孔徑精度控制在±1μm以?xún)?nèi)。該非接觸式加工工藝避免了機(jī)械鉆孔導(dǎo)致的微裂紋問(wèn)題,適用于50μm以下超薄玻璃基板的通孔制造,為三維光電子集成提供了工藝基礎(chǔ)。
三.TGV技術(shù)的前沿應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)化實(shí)踐
當(dāng)前,TGV技術(shù)已在光電子封裝與系統(tǒng)集成領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)工程化應(yīng)用,全球科研機(jī)構(gòu)與企業(yè)正加速推進(jìn)技術(shù)落地:
光電混合集成平臺(tái)(EOCB):弗勞恩霍夫IZM研究所提出的光電組合電路板(ElectroOpticCircuitBoard,EOCB)技術(shù),通過(guò)SLE工藝在玻璃基板上構(gòu)建TGV陣列與光波導(dǎo)網(wǎng)絡(luò),實(shí)現(xiàn)激光器、探測(cè)器與微波芯片的三維異質(zhì)集成。其開(kāi)發(fā)的光電子系統(tǒng)級(jí)封裝(pSiP)原型驗(yàn)證了400Gbps光信號(hào)的片上傳輸能力,傳輸損耗<0.5dB/cm,為高速光通信模塊提供了集成方案。
三維玻璃基光電互連(3DGP):?jiǎn)讨蝸喞砉W(xué)院研發(fā)的超薄玻璃中介層技術(shù),在50μm厚玻璃基板上實(shí)現(xiàn)了20μm間距的超高密度光學(xué)互連。該技術(shù)通過(guò)納米壓印工藝制備聚合物光波導(dǎo),結(jié)合TGV垂直電互連,構(gòu)建"二維平面光網(wǎng)絡(luò)+三維垂直電通道"的立體集成架構(gòu),已應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心光互連模塊,支持單通道25Gbps的高速數(shù)據(jù)傳輸。
共封裝光學(xué)器件(CPO):康寧公司將TGV技術(shù)應(yīng)用于CPO封裝領(lǐng)域,通過(guò)嵌入式再分布層(RedistributionLayer,RDL)與TGV垂直互連,實(shí)現(xiàn)光學(xué)引擎與數(shù)字芯片的無(wú)縫對(duì)接。在800GCPO原型中,玻璃基板的引入使光模塊體積縮小40%,功耗降低30%,展現(xiàn)出在下一代高速通信系統(tǒng)中的應(yīng)用潛力。
四.技術(shù)挑戰(zhàn)與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
盡管TGV技術(shù)展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),但其大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化仍面臨多重挑戰(zhàn):
制造成本控制:激光加工設(shè)備投資高昂(單臺(tái)設(shè)備成本>500萬(wàn)美元),且銅電鍍填充等工藝步驟復(fù)雜,導(dǎo)致玻璃基板成本達(dá)傳統(tǒng)PCB的510倍,目前主要應(yīng)用于高端通信與航空航天領(lǐng)域。
可靠性驗(yàn)證體系:玻璃金屬界面的長(zhǎng)期可靠性需進(jìn)一步優(yōu)化,在85℃/85%RH的濕熱環(huán)境中,TGV互連結(jié)構(gòu)的絕緣電阻衰減率仍需控制在10%以?xún)?nèi),以滿足工業(yè)級(jí)應(yīng)用要求。
設(shè)計(jì)生態(tài)構(gòu)建:光電子微電子協(xié)同設(shè)計(jì)工具鏈尚未完善,缺乏標(biāo)準(zhǔn)化的封裝設(shè)計(jì)流程與多物理場(chǎng)仿真模型,制約了技術(shù)的快速推廣。
展望未來(lái),TGV技術(shù)有望與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、光子集成回路(PIC)等技術(shù)深度融合,在以下領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破:
異構(gòu)集成標(biāo)準(zhǔn)體系:構(gòu)建"玻璃基板光子芯片微電子芯片"的異構(gòu)集成技術(shù)體系,推動(dòng)光計(jì)算、量子通信等前沿領(lǐng)域的工程化應(yīng)用。
智能光電傳感系統(tǒng):利用玻璃基板的生物相容性與光學(xué)透明性,開(kāi)發(fā)集成光傳感、信號(hào)處理的微型醫(yī)療設(shè)備,如植入式光譜分析傳感器,檢測(cè)精度可達(dá)納摩爾級(jí)。
先進(jìn)封裝技術(shù)架構(gòu):與扇出型封裝(FanOut)、晶圓級(jí)封裝(WLP)等工藝結(jié)合,建立"2.5D/3D光電子封裝"技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),為E級(jí)超級(jí)計(jì)算機(jī)的算力升級(jí)提供封裝支撐。
▍最新資訊
-
無(wú)氧銅在精密制造領(lǐng)域的應(yīng)用研究:材料特性、加工工藝及質(zhì)量控制
在高端制造業(yè)向納米級(jí)精度邁進(jìn)的進(jìn)程中,無(wú)氧銅以其卓越的物理性能與加工適應(yīng)性,成為航空航天、半導(dǎo)體、精密機(jī)械等領(lǐng)域的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。本文系統(tǒng)闡述無(wú)氧銅的材料科學(xué)特性,剖析從原料提純到成品檢測(cè)的全流程制造工藝,探討精密加工中的技術(shù)難點(diǎn)及解決方案,并結(jié)合典型應(yīng)用場(chǎng)景提出定制化加工方案,為相關(guān)領(lǐng)域的材料應(yīng)用提供理論與實(shí)踐參考。
2025-07-01
-
熱調(diào)控法制備二維鈣鈦礦近紅外光電探測(cè)器的研究進(jìn)展——面向弱光成像應(yīng)用的高靈敏度器件設(shè)計(jì)
二維(2D)鉛基鈣鈦礦材料因強(qiáng)量子限域效應(yīng)通常具有大于1.6eV的帶隙,導(dǎo)致其在近紅外(NIR)波段的光吸收效率顯著不足,嚴(yán)重制約了該類(lèi)材料在弱光探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用。針對(duì)這一關(guān)鍵瓶頸,上海大學(xué)王生浩團(tuán)隊(duì)聯(lián)合重慶文理學(xué)院李璐、程江團(tuán)隊(duì)提出熱調(diào)控結(jié)晶策略,成功制備出高結(jié)晶度(PEA)?FA?Pb?I??二維鈣鈦礦薄膜,構(gòu)建了具有自供電特性的近紅外光電探測(cè)器。相關(guān)成果發(fā)表于《AdvancedFunctionalMaterials》,為解決傳統(tǒng)二維鈣鈦礦在弱光環(huán)境下的響應(yīng)不足問(wèn)題提供了創(chuàng)新性解決方案。
2025-07-01
-
高分辨率成像中莫爾條紋的成因與解決辦法
在追求高清畫(huà)質(zhì)的時(shí)代,相機(jī)分辨率越來(lái)越高,但拍攝時(shí)可能遇到奇怪的波浪狀條紋——比如拍格子襯衫、電腦屏幕或建筑外墻時(shí),畫(huà)面中出現(xiàn)的不規(guī)則花紋,這就是攝影中常見(jiàn)的“莫爾條紋”。下面我們用更簡(jiǎn)單的方式,聊聊它的產(chǎn)生原因和解決辦法。
2025-06-30
-
飛秒激光加工新突破:波長(zhǎng)調(diào)控技術(shù)革新表面處理精度
激光波長(zhǎng)對(duì)材料表面粗糙度的精準(zhǔn)調(diào)控機(jī)制,為高精度微納加工開(kāi)辟了新路徑。來(lái)自能量束加工及應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域的研究團(tuán)隊(duì),通過(guò)多波長(zhǎng)協(xié)同工藝(DWA技術(shù)),成功實(shí)現(xiàn)了表面光潔度與加工效率的雙重優(yōu)化,相關(guān)成果已引發(fā)航空航天、半導(dǎo)體等高端制造領(lǐng)域關(guān)注。
2025-06-30